키오시아와 샌디스크가 차세대 3D 플래시 메모리 기술을 발표하며 4.8Gb/s의 NAND 인터페이스 속도를 실현했다. 이번 발표는 10세대 3D 플래시 메모리 기술의 프리뷰로, 성능과 전력 효율성, 비트 밀도 면에서 새로운 벤치마크를 설정했다.

이번에 공개된 기술은 ISSCC 2025에서 발표된 혁신적인 3D 플래시 메모리와 'CMOS 직접 어레이 결합(CBA)' 기술이 결합되어, 최신 인터페이스 표준 중 하나인 NAND 플래시 메모리용 토글 DDR6.0을 통합한다. 또한, 새로운 명령 주소 입력 방식인 SCA 프로토콜과 전력 절감을 위한 PI-LTT 기술도 활용된다.

이 독보적인 고속 기술을 통해, 새로운 3D 플래시 메모리는 기존 8세대 제품과 비교해 NAND 인터페이스 속도에서 33% 개선된 4.8Gb/s 속도를 도달할 것으로 기대된다. 또한, 데이터 입출력의 전력 효율이 개선되어 입력 전력 소비는 10%, 출력 전력 소비는 34% 줄어들었다. 10세대 3D 플래시 메모리의 프리뷰에서 메모리 레이어 수를 332개로 늘리고 평면 밀도를 높여 비트 밀도를 59% 향상시켰다.

키오시아의 미야지마 히데시 최고기술책임자는 AI 기술 확산으로 데이터 양이 크게 증가할 것으로 예상하며, 이 기술이 스토리지 솔루션에 더 큰 용량과 속도, 낮은 전력 소비를 제공할 것이라고 밝혔다.

샌디스크의 알퍼 일크바하르 수석부사장은 AI 발전에 따라 메모리에 대한 고객 요구가 다양해지고 있으며, CBA 기술을 통해 용량, 속도, 성능, 자본 효율성에서 최적의 조합을 제공하는 제품을 출시하겠다고 말했다.

양사는 향후 9세대 3D 플래시 메모리 출시 계획도 공유했다. 새로운 CMOS 기술과 기존 메모리 셀 기술을 결합해 고성능, 저전력 제품을 제공할 예정이다. 양사는 계속해서 플래시 메모리 기술을 개발하고 맞춤형 솔루션을 제공하며 디지털 사회의 발전에 기여할 것을 약속했다.